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氧化亞硅前驅體
塊體
P-SiO-1
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P-SiO-1
具有純度高（99.9%）、非晶態、沉積均勻、單爐產量高的特點，磁性物質含量可做到5ppm以下，金屬元素雜質可做到1000ppm以下，穩定可靠的生產工藝可保證批量供貨的批次穩定性，嚴格高效的過程管理可實現產品最優的性價比
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Ni
Cu
Cr
Al
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氧化亞硅前驅體
一款具有高純度、高品質、低成本等優勢的硅基負極前驅體，由其制備的硅基負極材料具有高可逆容量、低嵌鋰電位特點
≤5 ppm
≤1000 ppm
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